所属院所：北大工学院
工作地点：北京/南京
职位领域：光电子材料
招收领域：半导体光电材料
研究方向：AlN陶瓷材料及其应用的研究
孙永健：北京大学工学院副研究员，博士，从事宽禁带半导体材料器件的研究工作多年，研究内容涉及GaN半导体材料、器件工艺、衬底制备以及装备等相关领域。针对LED器件的发光机理及材料特性有深入研究，在垂直结构高亮度LED器件、纳米图形衬底制备，新型衬底、GaN基材料外研生长方面取得多项自主知识产权研究成果，发表国内外发表SCI、EI等论文多篇；国际国内重大学术邀请报告、口头报告多篇；申请PCT专利及国内发明专利多项；承担科技部“863”课题；国家自然科学基金项目；国家科技部国际合作项目及省市地方项目多项；发明微区激光剥离技术与设备，并成功在东莞市中镓公司实现产业化，该设备及其工艺技术申请国家发明专利的同时申请PCT国际专利，现都已获得授权。
应聘条件：
1、已具有博士学位或近期能顺利完成博士后论文答辩的应届博士毕业；
2、对氮化铝陶瓷(ALN)材料的性质、制备技术及其相关性质熟练掌握;
3、具有较好的中英文写作和交流能力，及科学论文发表纪录；
4、具有较强的科研创新能力和团队协作精神；
岗位职责：
拟招收的博士后将在北京大学工学院孙永健副研究员指导下，从事科研、论文撰写及科研项目申请等工作；
应聘材料：
请按照全国博士后流动站管委会的要求提供以下应聘材料：
1、需要两名推荐人的推荐信；
2、需要提交博士学位论文；
3、需要申请信及个人简历;
基本待遇：
1、享受北京大学所规定的博士后工资和生活待遇;
2、绩效奖励（视具体情况而定）；
3、协助申请博士后基金及青年基金；
联系人：杨老师，邮箱：yanghy@ie.pku.edu.cn;haiyy827@163.com
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